- La memoria de wurtzita promete una densidad de almacenamiento hasta diez veces superior a la DRAM convencional, reduciendo el consumo energético en centros de datos dedicados a entrenar inteligencia artificial.
- Este salto científico se suma a las tensiones geopolíticas abordadas en el análisis sobre la carrera estratégica entre potencias por la autosuficiencia en microelectrónica.
- Para inquietud del Departamento de Comercio de EE.
- Materiales con estructura de wurtzita prometen memorias ferroeléctricas diez veces más densas que la DRAM.
- Investigadores de la Universidad de Fudan superaron la barrera de grosor por debajo de los 5 nanómetros.
- China concentra más del 65 % de las patentes registradas sobre aleaciones de nitruro de escandio y aluminio.
- La tecnología elude las restricciones de exportación impuestas por Estados Unidos al usar procesos locales.
En la encarnizada batalla por la soberanía en microelectrónica, laboratorios de investigación de China lograron un avance decisivo en el desarrollo de la próxima generación de memorias no volátiles basadas en materiales con estructura cristalina de wurtzita. La innovación amenaza con romper la hegemonía estadounidense en el campo de los semiconductores avanzados.
Científicos de la prestigiosa Universidad de Fudan, en Shanghái, sintetizaron películas delgadas de nitruro de aluminio dopado con escandio (AlScN) con propiedades ferroeléctricas estables a escala inferior a los 5 nanómetros. Esta hazaña técnica permite almacenar datos sin necesidad de refresco de corriente eléctrica y con velocidades comparables a la memoria caché del procesador.
Densidad colosal y erradicación del cuello de botella de la IA
La memoria de wurtzita promete una densidad de almacenamiento hasta diez veces superior a la DRAM convencional, reduciendo el consumo energético en centros de datos dedicados a entrenar inteligencia artificial. Al integrar memoria y procesamiento en el mismo chip (tecnología Compute-in-Memory), el avance erradica el histórico ‘cuello de botella de Von Neumann’.
Este salto científico se suma a las tensiones geopolíticas abordadas en el análisis sobre la carrera estratégica entre potencias por la autosuficiencia en microelectrónica.
Patentes blindadas y autonomía frente a las sanciones occidentales
Para inquietud del Departamento de Comercio de EE. UU., las instituciones chinas acaparan más del 65 % de las patentes globales en síntesis de wurtzita. Además, el método de deposición atómica no depende de maquinaria de litografía ultravioleta extrema (EUV), lo que blinda a la industria asiática frente a futuras sanciones comerciales.
Fuente informativa: Xataka — La próxima gran revolución en memorias se llama wurtzita. Para disgusto de EEUU, está en las manos de China.
Escrito por: Joel Almeida
Ingeniero en Telecomunicaciones y Divulgador Científico graduado en la Escuela Politécnica Nacional (EPN), con maestría en Periodismo Tecnológico y Ciberseguridad. Apasionado por la revolución de la inteligencia artificial, la transición hacia energías limpias y el avance de la infraestructura digital en América Latina.
